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Jupiter-V02-SP設備是應用于LED芯片和半導體晶元基片上電極金屬鍍膜的專有設備。該設備采用磁控濺射和離子束技術,實現在Si基、GaAs基以及GaN基的晶元基板上的實現多層金屬薄膜沉積。配合相應的薄膜沉積工藝,由Jupiter-V02-SP所提供的電極金屬薄膜,不但具有優異的結合力,同時也具良好的均勻性。
    Jupiter-V02-SP設備具有良好穩定性和高度自動化程度,也可根據客戶的要求實現多功能和多用途以適用于客戶獨立的工藝開發需求。

技術特點:
PVD 薄膜沉積技術:磁控濺射和離子束
工藝氣體:5N Ar
兩吋晶圓裝載量:160片;四吋晶圓裝載量:42片
可同時沉積多達5種金屬層
薄厚均勻性:±5%
在線膜厚檢測和控制
控制方式:PLC+工業控制電腦全自動控制

典型應用:
 LED 芯片電極制作
 半導體電極電路制作
 
 

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